Гepмaния – Лабораторно, оптично и прецизно оборудване (без стъклени изделия) – OV_LK_08-26-0654 Cz-Züchtungsanlage-Oxide-2027

Доставка "свободно за мястото на използване", монтаж и пускане в експлоатация на установка за отглеждане на оксидни монокристали. Освен това: предоставяне на документация, приемка (заводска и крайна приемка), сервиз при срив. Установката позволява отглеждането на оксидни монокристали, особено на Ga₂O₃, от разтопено състояние чрез процеса на Czochralski. Достигат се кристални диаметри от най-малко 50 mm (2 инча) и най-много 100 mm (4 инча) както и кристално тегло до 5 kg. Процесът на растеж на кристала се извършва в двойностенна, водоохлаждаема камера от нелегирана стомана, в която чрез предварително вакуумиране и последователно запълване с газове се установяват различни газови атмосфери. Процесът се извършва при леко над атмосферен налягане (около 20-50 mbar надлягане) или в статична или в движеща се атмосфера. Изходният материал в форма на прах, гранули или разтопено вещество (например, Ga₂O₃) се намира в тигел от благороден метал (например, иридий), който се нагрява директно от високочестотна индукционна катушка, разположена вътре в камерата от нелегирана стомана. Процесът на кристализация започва от импулсен кристал, който се потапя отгоре в разтопеното вещество. За да се образува обемен кристал, кристализираното вещество се изважда бавно от разтопеното вещество под въртене с регулируеми скорости на извличане.