Иcпaния – Микроелектронни машини и уреди и микросистеми – Suministro de sistema de grabado mediante haz iónico (Ion beam Etching - IBE)

Екипът ще бъде предназначен за Научната и техническа уникална инфраструктура (ICTS) MICRONANOFABS, испанска мрежа от чисти стаи за микро и нанофабрикация, интегрирана в Националната карта на ICTS на компетентното министерство по наука, част от която е Инфраструктурата за микро и нанофабрикация на Центъра за нанофотоника (NTC) на Университета Политехника де Валенсия (UPV), заедно с Националния център за микроелектроника (CSIC) и Централната технология на ISOM (UPM). Инсталацията ще бъде разположена в Чистата стая на сградата 8F на NTC-UPV. Центърът за нанофотоника развива процеси за производство на интегрирани фотонни устройства, биосензори, компоненти на интегрирана оптика, квантови устройства, микроелектромеханични системи (MEMS), микрофлуидни структури и нанофотонни системи върху широк спектър от материали, включително силиций, силициев нитрид, стъкло, кварц, материали III-V, диелектрични материали и хибридни структури. Като ICTS, интегрирана в мрежата MICRONANOFABS, NTC-UPV предоставя услуги за микро и нанофабрикация на национални и международни изследователски групи, както и на компании, в рамките на конкурентни проекти, договори за технологичен трансфер и предоставяне на напреднали услуги. Тази условие на уникална инфраструктура за споделено ползване изисква поддържане на актуално, устойчиво и ефективно оборудване, което да отговаря на състоянието на изкуството и да дава отговор на собствените линии на изследване, както и на външния запрос от научната и индустриалната общност, в съответствие с целите на PERTE Chip за укрепване на националните възможности в областта на микроелектрониката и фотониката. Много от устройствата, произвеждани в инфраструктурата, изискват процеси на физическо гравиране с висока точност върху материали, за които конвенционалните химически процеси на гравиране (мокри) не осигуряват необходимата качество на повърхността, анизотропия или селективност. Освен това, нарастващата сложност на развитите устройства изисква наличието на процеси с висока повторяемост, с точно контрол на ъгъла на инциденция на сноп, висока стабилност на процеса, автоматизация и непрекъснато мониторинг.