Německo – Laboratorní, optické a přesné přístroje a zařízení (mimo skel) – OV_LK_08-26-0886 Cz-Züchtungsanlage-Fluoride-2027

Dodávka "svobodné místo použití", instalace a uvedení do provozu zařízení pro pěstování Cz-Fluorid monokrystalů. Navíc: zajištění dokumentace, přijetí (výrobní a konečné přijetí), servis v případě poruchy. Systém umožňuje růst fluoridových monokrystalů z taveniny pomocí tahového procesu (např. Czochralskiho proces). Systém se používá v výzkumném prostředí a musí zajistit častý přístup uživatelů, jednoduchou údržbu a vysokou stabilitu procesu. Systém by měl být schopen vyrábět křišťály s maximálním průměrem 100 mm (4 palce) a hmotností až 5 kg. Maximální vnitřní průměr taveniny se odhaduje na cca. 200 mm. Proces pěstování křišťálů probíhá v vodou chlazené ocelové komoře, jejíž vnitřní stěna musí být elektropolována, aby se dosáhlo vysokého vakua. Jako procesní plyny se používají argon a CF4. Systém musí disponovat funkcí bake-out, tj. komora musí být při zahřátí na >50 °C vyčerpána na vysoké vakuum (<1×10-6 mbar). Proces probíhá při tlaku mírně nad atmosférickým tlaku (typicky 1,05-1,1 bar) v statické nebo proudící atmosféře. Výchozí materiál se nachází v uhlíkovém tavenině (grafit nebo sklovitý uhlík), který se zahřívá v centru ocelové komory. Zahřívání probíhá pomocí grafitového odporového vytápění, které zahřívá taveninu a taveninu. Kristalizační proces se iniciuje impfovým křišťálem, který je připevněn k rotující a translatčně pohyblivé vlně z platiny a je ponořen do taveniny. Impfový křišťál je poté pomalu vytažen z taveniny při rotaci, čímž vzniká objemový monokrystal.