Γερμανία – Εξοπλισμός εργαστηριακός, οπτικός και ακριβείας (εκτός από γυαλιά) – OV_LK_08-26-0654 Cz-Züchtungsanlage-Oxide-2027

Παραλαβή "ελεύθερη χρήση", εγκατάσταση και εναρξη λειτουργίας ενός συστήματος καλλιέργειας Cz για την καλλιέργεια οξειδίων μονοκρυστάλλων. Επιπλέον: παρέχεται η τεκμηρίωση, έγκριση (εσωτερική και τελική έγκριση), υπηρεσία σε περίπτωση διαταραχής. Το σύστημα επιτρέπει την καλλιέργεια οξειδίων μονοκρυστάλλων, ιδίως Ga₂O₃, από το λιωμένο υλικό με τη μέθοδο Czochralski. Προκύπτουν διάμετροι κρυστάλλων από τουλάχιστον 50 mm (2 ίντσες) και μέχρι 100 mm (4 ίντσες) καθώς και βάρος κρυστάλλου έως 5 kg. Η διαδικασία ανάπτυξης του κρυστάλλου πραγματοποιείται σε μια διπλοστενή, υδροψυκτική θάλαμη από ατσάλι, στην οποία, μέσω προηγούμενης εξαερισμού και αμέσως επόμενης πλήρωσης με αέρια, ρυθμίζονται διάφοροι ατμοσφαιρικοί περιβάλλοντα. Η διαδικασία πραγματοποιείται σε πίεση λίγο πάνω από την ατμοσφαιρική πίεση (περίπου 20-50 mbar υπερπίεση) είτε σε στατική είτε σε ροή ατμόσφαιρα. Το αρχικό υλικό σε μορφή σκόνης, γρανουλών ή λιωμένου υλικού (π.χ. Ga₂O₃) βρίσκεται σε ένα χαλκό υλικό κουτι (π.χ. ιρίδιο), το οποίο θερμαίνεται απευθείας από μια ροή υψηλής συχνότητας, η οποία βρίσκεται μέσα στην ατσάλι θάλαμη. Η διαδικασία κρυστάλλωσης ξεκινά από ένα κρυσταλλικό σπόρο, το οποίο βυθίζεται από πάνω στο λιωμένο υλικό. Για να σχηματιστεί ένας όγκος κρυστάλλου, το κρυσταλλωμένο υλικό εξάγεται αργά από το λιωμένο υλικό με ρυθμιζόμενες ταχύτητες εξαγωγής, ενώ περιστρέφεται.