Alemania – Equipo de laboratorio, óptico y de precisión (excepto gafas) – OV_LK_08-26-0654 Cz-Züchtungsanlage-Oxide-2027

Entrega "libre de uso", instalación y puesta en marcha de una instalación de cultivo Cz para el cultivo de monocristales de óxido. Además: Provisión de la documentación, recepción (recepción en fábrica y final), servicio en caso de avería. La instalación permite el cultivo de monocristales de óxido, en particular de Ga₂O₃, a partir de la fusión mediante el método de Czochralski. Se alcanzan diámetros de cristal de al menos 50 mm (2 pulgadas) y como máximo 100 mm (4 pulgadas), así como un peso de cristal de hasta 5 kg. El proceso de crecimiento del cristal tiene lugar en una cámara de acero inoxidable de doble pared, refrigerada por agua, en la que, mediante evacuación previa y posterior llenado con gases, se ajustan diferentes atmósferas de gas. El proceso se lleva a cabo a una presión ligeramente superior a la presión atmosférica (aproximadamente 20-50 mbar de sobrepresión) ya sea en una atmósfera estática o en una atmósfera fluida. El material de partida en forma de polvo, granulado o fundido (por ejemplo, Ga₂O₃) se encuentra en un crucible de metal noble (por ejemplo, iridio), que se calienta directamente a través de una bobina de inducción de alta frecuencia que se encuentra en el interior de la cámara de acero inoxidable. El proceso de cristalización comienza con un cristal de siembra que se sumerge en la fusión desde arriba. Para formar un cristal de volumen, el material cristalizado se extrae lentamente de la fusión bajo rotación con velocidades de extracción ajustables.