Saksamaa – Laboriseadmed, optika- ja täppisinstrumendid (v.a klaasid) – OV_LK_08-26-0654 Cz-Züchtungsanlage-Oxide-2027

Tootmise "vaba kasutamise koht", paigaldamine ja seadistamine Cz-kasvatusseadmele oksüdeid monokristallide kasvatamiseks. Lisaks: Dokumentatsiooni osutamine, vastuvõtmine (tehase- ja lõppvastuvõtmine), häirete korral teenus. Seade võimaldab oksüdeid monokristallide kasvatamist, eriti Ga₂O₃, sulamisest Czochralski meetodiga. Saadakse kristallide läbimõõt 50 mm (2 tolli) ja 100 mm (4 tolli) vahel ning kristalli mass kuni 5 kg. Kristallkasvamise protsess toimub kahekordses, veekülmutatud Edelstahli kammeris, kus erinevate gaasatmosfääride loomiseks evakueeritakse eelnevalt ja täidetakse seejärel gaasidega. Protsess toimub atmosfäärirõhust veidi kõrgemal rõhul (umbes 20-50 mbar üle rõhu) kas staatilises või voolavas atmosfääris. Algmaterjal pulbri, granulaadi või sulamisena (nt Ga₂O₃) asub edelmetalli ahjus (nt iridium), mida kuumutatakse otse kõrgsagedusinduktsioonspuul, mis asub Edelstahli kammeri sees. Kristalliseerumise protsess algab impfkristallist, mis kinnitatakse ülesse sulamisse. Volumkristalli moodustamiseks tõmmatakse kristalliseerunud materjal pöörlemise ja reguleeritavate tõmbekiirustega aeglaselt sulamisest välja.