Saksamaa – Laboriseadmed, optika- ja täppisinstrumendid (v.a klaasid) – OV_LK_08-26-0886 Cz-Züchtungsanlage-Fluoride-2027

Tootmiste "vaba kasutajakoht", paigaldus ja seadmiselepanek fluoridmonokristallide kasvatamiseks Cz-kasvatussüsteemi. Lisaks: dokumentatsiooni pakkumine, vastuvõtmine (vabrikavastuvõtmine ja lõppvastuvõtmine), häirekorras teenus. Süsteem võimaldab fluoridmonokristallide kasvamist sulamisest tõmbamise meetodiga (näiteks Czochralski meetod). Süsteem kasutatakse uurimiskeskkonnas ja peab tagama sagelist kasutaja ligipääsu, lihtsat hooldust ning kõrget protsessistabiilsust. Süsteem peab tootma kristalle, mille maksimaalne läbimõõt on 100 mm (4 tolli) ja kaal kuni 5 kg. Tiigli maksimaalne siseläbimõõt hinnatakse umbes 200 mm. Kristallide kasvamise protsess toimub veekülmutatud roostevabast terasest kambris, mille sisesein peab olema elektropolitud, et saavutada kõrgevakuum. Protsessigaasidena kasutatakse argoni ja CF4. Süsteem peab olema varustatud bake-out funktsiooniga, st kambrit tuleb kuumutada >50 °C, et saavutada kõrgevakuum (<1×10-6 mbar). Protsess toimub rõhku, mis on veidi kõrgem kui atmosfääri rõhk (tavaliselt 1,05-1,1 bar), staatilises või voolavas atmosfääris. Algmaterjal asub süsinikul põhinevas tiiglis (grafiit või klaasjas süsinik), mis kambri keskmes kuumutatakse. Kuumutamine toimub grafiidist takistuskuumutiga, mis kuumutab tiiglit ja sulamist. Kristallisatsiooni protsess algab impfkristalliga, mis on kinnitatud platinast pöörlevas ja translatsiooniliselt liikuvas väärasse ja sügavusega sulamisse. Impfkristall tõmmatakse seejärel pöörlemisel aeglaselt sulamisest välja, mistõttu tekib ruumiline monokristall.