Saksamaa – Laboriseadmed, optika- ja täppisinstrumendid (v.a klaasid) – OV_LK_08-26-0886 Cz-Züchtungsanlage-Fluoride-2027

Tootmise "vaba kasutamise koha" kohale toimetamine, paigaldamine ja seadmisele seadmine Fluoridmonokristallide kasvatusseadmele. Lisaks: Dokumentatsiooni pakkumine, vastuvõtmine (tehase- ja lõpptest) ja häirekorras teenus. Süsteem võimaldab Fluoridmonokristallide kasvamist sulamisprotsessis tõmbeprotsessiga (nt Czochralski protsessiga). Süsteem on mõeldud uurimiskeskkonnas kasutamiseks ja peab tagama sagelist kasutaja ligipääsu, lihtsat hooldust ning kõrget protsessistabiilsust. Süsteem peab tootma kristalle, mille maksimaalne läbimõõt on 100 mm (4 tolli) ja kaal kuni 5 kg. Tiigli maksimaalne sise läbimõõt on hinnanguliselt 200 mm. Kristallide kasvamise protsess toimub veekülmutatud roostevabast terasest kammeris, mille seesmine sein peab olema elektropolitud, et saavutada kõrgevakuum. Protsessigaasidena kasutatakse argoni ja CF4. Süsteem peab olema varustatud bake-out funktsiooniga, st kammer peab olema soojendamise käigus evakueeritud >50 °C juures kõrgevakuumini (<1×10-6 mbar). Protsess toimub atmosfääri rõhust veidi kõrgemal rõhul (tüüpiliselt 1,05-1,1 bar) staatilises või voolavas atmosfääris. Algmaterjal asub süsinikul põhinevas tiiglis (grafiit või klaasjas süsinik), mis on keskel roostevabast terasest kammeris kuumutatud. Kuumutamine toimub grafiidist takistuskuumutiga, mis kuumutab tiiglit ja sulamist. Kristalliseerumisprotsess algab impfkristalliga, mis on kinnitatud platinast pöörlevale ja translaatoriliselt liikuvale vääle ja on sissekandatud sulamisse. Impfkristall tõmmatakse seejärel pöörlemisel aeglaselt sulamisest välja, mille tulemusena tekkib ruumala monokristall.