Norja – Testaus- ja mittauslaitteet – Integrated system for electric characterization and probing of semiconductor components and neuromorphic electronics

Yliopisto Oslosta perustetaan uusi tutkimusympäristö neuromorfiselle piirille energiatehokkaalle tekoälylle. Toiminta yhdistää materiaalien kehittämisen Materiaalitieteen ja Nanoteknologian Keskuksessa (SMN) piirien ja järjestelmien suunnittelun asiantuntemuksen Tietojenkäsittelytieteen laitoksella. Keskus tarve on kyky elektrisesti karakterisoida laitteita varhaisvaiheiden materiaalien ja laitteiden kehittämisestä pieniin taulukoihin ja esittelyihin. Tämä sisältää ferroelectric tunnel junctionit (FTJ), ferroelectric field-effect transistorit (FeFET), resistiiviset muistilaitteet ja muut laitteiden konseptit, jotka ovat relevantteja neuromorfiselle elektroniikalle. Vaate koostuu kahdesta teknisestä pääosasta (Lot 1 ja Lot 2): 1: Modulaarinen sähköinen mittaus- ja karakterisointilaitteisto 2: Puolijärjestelmäsondeipiste, joka on varustettu lämpötilan säädöllä