Njemačka – Laboratorijska, optička i precizna oprema (osim naočala) – OV_LK_08-26-0654 Cz-Züchtungsanlage-Oxide-2027

Dostava "slobodno mjesto upotrebe", instalacija i puštanje u pogon uređaja za uzgoj Czochralski-Oksid-Einkristalle za uzgoj oksidnih monokristala. Dodatno: dostava dokumentacije, prijem (radna i konačna prijem), servis u slučaju ometanja. Uređaj omogućuje uzgoj oksidnih monokristala, posebno Ga₂O₃, iz taline pomoću Czochralski postupka. Dostignuti su promjeri kristala od najmanje 50 mm (2 inča) i najviše 100 mm (4 inča) te težina kristala do 5 kg. Proces rasta kristala odvija se u dvostrukoj, vodom hlađenoj komori od nehrđajućeg čelika, u kojoj se razne gasne atmosfere postavljaju evakuiranjem i potom punjenjem gasovima. Proces se provodi pod tlakom nešto iznad atmosferskog tlaka (otprilike 20-50 mbar prekomjer) u statičkoj ili strujnoj atmosferi. Početni materijal u obliku praha, granulata ili taline (npr. Ga₂O₃) nalazi se u posudi od plemenitog metala (npr. iridij), koji se direktno grije visokofrekventnom indukcijskom zavojnicom koja se nalazi unutar nehrđajuće čelične komore. Kristalizacijski proces počinje na impf kristalu koji se iznad uranja u talinu. Da bi se formirao volumenski kristal, kristalizirani materijal se pod rotacijom i reguliranim brzinama izvlačenja sporo izvlači iz taline.