Germania – Attrezzature da laboratorio, ottiche e di precisione (escluso vetri) – OV_LK_08-26-0654 Cz-Züchtungsanlage-Oxide-2027

Fornitura "libera destinazione", installazione e messa in servizio di un impianto di crescita Cz per la coltivazione di monocristalli di ossido. Inoltre: fornitura della documentazione, collaudo (collaudo in fabbrica e collaudo finale), servizio in caso di guasto. L'impianto consente la coltivazione di monocristalli di ossido, in particolare di Ga₂O₃, dalla fusione mediante il metodo Czochralski. Si ottengono diametri cristallini di almeno 50 mm (2 pollici) e al massimo 100 mm (4 pollici) nonché un peso cristallino fino a 5 kg. Il processo di crescita del cristallo avviene in una camera doppia parete, raffreddata ad acqua, in acciaio inox, in cui, mediante pre-evacuazione e successivo riempimento con gas, vengono impostate diverse atmosfere di gas. Il processo viene eseguito a una pressione leggermente superiore alla pressione atmosferica (circa 20-50 mbar di sovrapressione) in un'atmosfera statica o in flusso. Il materiale di partenza sotto forma di polvere, granulato o fusione (ad es. Ga₂O₃) si trova in un crogiolo in metallo nobile (ad es. iridio), che viene riscaldato direttamente da una bobina di induzione ad alta frequenza situata all'interno della camera in acciaio inox. Il processo di cristallizzazione inizia con un cristallo di semina che viene immerso nella fusione dall'alto. Per formare un cristallo volumetrico, il materiale cristallizzato viene estratto lentamente dalla fusione con velocità di estrazione regolabili sotto rotazione.