Germania – Attrezzature da laboratorio, ottiche e di precisione (escluso vetri) – OV_LK_08-26-0654 Cz-Züchtungsanlage-Oxide-2027

Fornitura "libera destinazione", installazione e messa in servizio di un impianto di crescita Cz per la coltivazione di monocristalli di ossido. Inoltre: fornitura della documentazione, collaudo (collaudo in fabbrica e collaudo finale), servizio in caso di guasto. L'impianto consente la coltivazione di monocristalli di ossido, in particolare Ga₂O₃, dalla fusione mediante il metodo Czochralski. Vengono ottenuti diametri di cristallo da 15 mm fino a un massimo di 100 mm (4 pollici) e pesi di cristallo da 60 g fino a 5 kg. Il processo di crescita del cristallo avviene in una camera a doppia parete, raffreddata ad acqua, in acciaio inox, in cui, mediante preevacuazione e successivo riempimento con gas, vengono impostate diverse atmosfere di gas. Il processo viene eseguito a una pressione compresa tra la pressione atmosferica e una leggera sovrapressione (massimo 500 mbar di sovrapressione) in un'atmosfera di gas statica o fluida.