Alemanha – Equipamento laboratorial, óptico e de precisão (exc. óculos) – OV_LK_08-26-0654 Cz-Züchtungsanlage-Oxide-2027

Entrega "livre de utilização", instalação e colocação em funcionamento de uma instalação de cultivo Cz para o cultivo de monocristais de óxido. Além disso: fornecimento da documentação, aceitação (aceitação de fábrica e final), serviço em caso de perturbação. A instalação permite o cultivo de monocristais de óxido, em particular de Ga₂O₃, a partir da fusão pelo método Czochralski. São obtidos diâmetros de cristal de pelo menos 50 mm (2 polegadas) e no máximo 100 mm (4 polegadas) bem como um peso de cristal de até 5 kg. O processo de crescimento do cristal ocorre em uma câmara de aço inoxidável, de parede dupla, refrigerada a água, na qual, através da evacuação prévia e do posterior enchimento com gases, são estabelecidas diferentes atmosferas de gás. O processo é realizado a uma pressão ligeiramente superior à pressão atmosférica (cerca de 20-50 mbar de sobrepressão), seja em uma atmosfera estática ou em uma atmosfera em fluxo. O material de partida, sob a forma de pó, granulado ou fusão (por exemplo, Ga₂O₃), encontra-se num crucifixo de metal nobre (por exemplo, irídio), que é aquecido diretamente por uma bobina de indução de alta frequência que se encontra no interior da câmara de aço inoxidável. O processo de cristalização começa num cristal de semente, que é mergulhado na fusão por cima. Para formar um cristal volumétrico, o material cristalizado é retirado lentamente da fusão, em rotação, com velocidades de extração ajustáveis.