Espanha – Máquinas e aparelhos microelectrónicos e microssistemas – Suministro de sistema de grabado mediante haz iónico (Ion beam Etching - IBE)
Descrição
O equipamento será destinado à Infraestrutura Científica e Técnica Singular (ICTS) MICRONANOFABS, rede espanhola de salas brancas de micro e nanofabricação integrada no Mapa Nacional de ICTS do Ministério competente em matéria de ciência, da qual faz parte a Infraestrutura de Micro e Nano Fabricação do Centro de Tecnologia Nanofotónica (NTC) da Universitat Politècnica de València (UPV), juntamente com o Centro Nacional de Microelectrónica (CSIC) e a Central de Tecnologia do ISOM (UPM). A instalação será localizada na Sala Branca do edifício 8F do NTC-UPV. O Centro de Tecnologia Nanofotónica desenvolve processos de fabricação de dispositivos fotónicos integrados, biossensores, componentes de óptica integrada, dispositivos quânticos, sistemas microelectromecânicos (MEMS), estruturas microfluídicas e sistemas nanofotónicos sobre uma ampla variedade de materiais, incluindo silício, nitruro de silício, vidro, quartzo, materiais III-V, materiais dielétricos e estruturas híbridas. Como ICTS integrada na rede MICRONANOFABS, o NTC-UPV presta serviços de micro e nanofabricação a grupos de investigação nacionais e internacionais, bem como a empresas, no âmbito de projetos competitivos, contratos de transferência tecnológica e prestação de serviços avançados. Esta condição de infraestrutura singular de uso compartilhado obriga a manter uma dotação instrumental atualizada, robusta e de prestações acordes ao estado da arte, que permita dar resposta tanto às linhas de investigação próprias como à demanda externa da comunidade científica e industrial, em linha com os objetivos do PERTE Chip para o fortalecimento das capacidades nacionais de microelectrónica e fotónica. Muitos dos dispositivos que se fabricam na infraestrutura requerem processos de gravação física de elevada precisão sobre materiais para os quais os processos convencionais de gravação química (úmida) não proporcionam a qualidade superficial, anisotropia ou selectividade necessárias. Além disso, a crescente complexidade dos dispositivos desenvolvidos exige a disponibilidade de processos altamente reprodutíveis, com controlo preciso do ângulo de incidência do feixe, elevada estabilidade do processo, automatização e monitorização contínua.
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