Germania – Echipamente de laborator, optice şi de precizie (cu excepţia ochelarilor) – OV_LK_08-26-0654 Cz-Züchtungsanlage-Oxide-2027

Livrare "liber utilizator", instalare și punere în funcțiune a unei instalații de creștere a cristalelor Czochralski pentru creșterea cristalelor de oxid monocristalin. De asemenea: furnizarea documentației, recepția (recepție la fabrică și recepție finală), serviciu în caz de defectare. Instalația permite creșterea cristalelor de oxid monocristalin, în special de Ga₂O₃, din topitură prin procedeul Czochralski. Se obțin diametre de cristal de cel puțin 50 mm (2 inch) și maxim 100 mm (4 inch), precum și o greutate de cristal până la 5 kg. Procesul de creștere a cristalului are loc într-o cameră dublu-peretată, răcită cu apă, din oțel inox, în care, prin evacuare prealabilă și umplere ulterioară cu gaze, se stabilesc diferite atmosfere gazeoase. Procesul se desfășoară la o presiune ușor peste cea atmosferică (aproximativ 20-50 mbar suprapresiune) fie într-o atmosferă statică, fie într-o atmosferă în curent. Materialul de bază sub formă de pulbere, granulat sau topitură (de exemplu, Ga₂O₃) se află într-un crat de metal nobil (de exemplu, iridiu), care este încălzit direct de o bobină de inducție cu frecvență înaltă, care se află în interiorul camerei de oțel inox. Procesul de cristalizare începe de la un cristal de semănătură, care este scufundat din sus în topitura. Pentru a forma un cristal de volum, materialul cristalizat este scos lent din topită sub rotație, cu viteze de extracție ajustabile.