Nemecko – Laboratórne, optické a presné prístroje a vybavenie (s výnimkou skiel) – OV_LK_08-26-0654 Cz-Züchtungsanlage-Oxide-2027

Dodávka "slobodná použitia", inštalácia a uvedenie do prevádzky zariadenia na výrast Czochralského pre výrast oxidových monokrystalov. Okrem toho: poskytnutie dokumentácie, odovzdanie (výrobná a konečná odovzdanie), servis v prípade poruchy. Zariadenie umožňuje výrast oxidových monokrystalov, predovšetkým Ga₂O₃, z taveniny metódou Czochralského. Dosahujú sa priemer krystalov minimálne 50 mm (2 palce) a maximálne 100 mm (4 palce) a hmotnosť krystalu do 5 kg. Proces rastu krystalov prebieha v dvojstennom, vodou chladenom komore z nerezavej ocele, v ktorej sa nastavujú rôzne plynové atmosféry predchádzajúcim vyčerpaním a následným naplnením plynom. Proces sa vykonáva pri tlaku mierne vyššom ako atmosférický tlak (cca. 20-50 mbar pretlaku) buď v statickom alebo v prúdiacom prostredí. Výstupný materiál vo forme prachu, granulátu alebo taveniny (napr. Ga₂O₃) sa nachádza v kovovej kúpeľi (napr. irídium), ktorá je priamo ohriavaná vysokofrekvenčnou indukčnou cievkou, ktorá sa nachádza vo vnútri nerezavej ocele. Proces krystalizácie začína na semenom krystale, ktorý sa zhora ponára do taveniny. Aby sa vytvoril objemový krystal, krystalizovaný materiál sa pod rotačnou smerovanou rýchlosťou pomaly vyťahuje z taveniny.