Nemčija – Laboratorijska, optična in precizna oprema (razen očal) – OV_LK_08-26-0654 Cz-Züchtungsanlage-Oxide-2027

Dostava "prosto uporabno mesto", namestitev in vpeljava postaje za vzrejo Czochralskega postopka za vzrejo oksidnih monokristalov. Poleg tega: zagotavljanje dokumentacije, sprejem (tovarniški in končni sprejem), servis v primeru motenj. Postaja omogoča vzrejo oksidnih monokristalov, zlasti Ga₂O₃, iz taline s pomočjo Czochralskega postopka. Doseže se premer kristala najmanj 50 mm (2 palca) in največ 100 mm (4 palca) ter teža kristala do 5 kg. Proces rasti kristala poteka v dvostenski, vodo hlajeni komori iz neodvisnega jekla, v kateri se z evakuiranjem in nato napolnitvijo z plini nastavljajo različne plinske atmosfere. Proces poteka pri tisku malce nad atmosferskim tlakom (okoli 20-50 mbar preostali tlak) bodisi v statični bodisi v tekoči atmosferi. Začetno material v obliki prahu, granulata ali taline (npr. Ga₂O₃) se nahaja v tigi iz plemenitega metala (npr. iridij), ki se neposredno ogreva z visoko-frekvenčno indukcijsko zvitkom, ki se nahaja v notranjosti neodvisne jeklene komore. Kristalizacijski proces se začne na kristalnem zrnu, ki se od zgoraj potopi v talino. Da bi se oblikoval volumen kristala, se kristalizirano material pod vrtenjem z nastavljivimi hitrostmi iztegnjenja počasi iztegne iz taline.