Tyskland – Laboratorieutrustning, optisk utrustning och precisionsutrustning (exkl. glas) – OV_LK_08-26-0654 Cz-Züchtungsanlage-Oxide-2027

Leverans "fri användningsplats", installation och igångsättning av en Cz-odlingsanläggning för odling av oxidensingelkristaller. Dessutom: Försörjning av dokumentation, avtagning (fabriks- och slutavtagning), service vid störningsfall. Anläggningen gör det möjligt att odla oxidensingelkristaller, särskilt Ga₂O₃, från smältan med hjälp av Czochralski-metoden. Kristallgenomskärningar på minst 50 mm (2 tum) och max 100 mm (4 tum) samt ett kristallvikt upp till 5 kg uppnås. Kristallväxtprocessen sker i en dubbelväggad, vattenkyld kammer av rostfritt stål, där olika gasatmosfärer inställs genom förutvarande evakuering och efterföljande fyllning med gaser. Processen utförs vid ett tryck lite över atmosfärstrycket (ca. 20-50 mbar övertryck) antingen i en statisk eller en strömmande atmosfär. Det ursprungliga materialet i form av pulver, granulat eller smälta (t.ex. Ga₂O₃) finns i en edelmetalltigel (t.ex. iridium), som direkt upphettas av en högfrekvensinduktionsspole som finns i den inre delen av rostfritt stålkammaren. Kristallisationsprocessen börjar vid en frökristall som doppas från ovan i smältan. För att bilda en volymkristall dras det kristalliserade materialet under rotation med inställbara draghastigheter långsamt ut ur smältan.